- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/20 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 51/20
Brevets de cette classe: 209
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
103 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
29 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
12 |
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
10 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
7 |
Kioxia Corporation | 9847 |
7 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
6 |
Sunrise Memory Corporation | 192 |
5 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
3 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
3 |
Kepler Computing Inc. | 221 |
3 |
Lam Research Corporation | 4775 |
2 |
Korea Advanced Institute of Science and Technology | 3906 |
2 |
Japan Science and Technology Agency | 1564 |
2 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
2 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
1 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
1 |
Seagate Technology LLC | 4228 |
1 |
United Microelectronics Corp. | 3921 |
1 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
1 |
Autres propriétaires | 8 |